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三安半导体
产品型号:SDS120J040G3
型号 额定电压(V) 额定正向电流(A)
SDS120J040G3 1200 20/40 @TC=153℃
VF典型值(V)
@Tj=25℃
浪涌电流(A)
@Tc=25℃
反向漏电流(uA)
@Tj=25℃
1.35 180 60
Tj(℃) 单芯/双芯 封装类型
-55~175 单芯 TO247-3

1、碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。碳化硅二极管具备了杰出的耐高压、高频、高功率、耐高温以及零反向恢复电荷等性能,使得650V和1200V的肖特基二极管非常适合应用在高频和高效率电源系统。
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产品描述 / Product Description


产品参数 / Product parameters


碳化硅二极管应用领域

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